
宿世臣
研究员
研究领域:光电材料和器件
工作单位:华南师范大学
专家简介:宿世臣,博士、研究员,博士生导师。2009年于中科院长春光机所发光学与应用国家重点实验室取得博士学位。多年来一直从事ZnO,GaN等宽禁带半导体材料与器件的发光和激光特性的相关研究工作:1.利用分子束外延(MBE),脉冲激光沉积(PLD)和金属有机化学气相沉积(MOCVD)等设备开展了ZnO/ZnMgO量子阱,ZnO薄膜材料和GaN LED的相关的研究工作, 2.量子点(CdSe,ZnO,carbon QD等)发光与显示方面的研究工作,3.激光加工。